PVD Carbon機台
應用範圍

SiC MOSFET在進行implanter後,需要在表面cap一層carbon,來阻絕矽昇華(silicon sublimation)的發生,矽昇華將會造成SiC半導體元件的表面粗糙形成step-bunching。


機台架構
  • 每部PVD Carbon設備最多可掛載6個腔體,與EFEM高度整合
  • 可依客戶需求選擇腔體配置,高度客製化
  • 搭配SECS / GEM高度自動化
  • 各種Carbon cap方法的比較